• 专利附录
  • 专利说明
  • 权利要求
  • 类似技术
  • 同族专利
  • 引用文献
  • 法律状态
  • 优先权
    • 专利摘要:

    公开号:WO1983001151A1
    申请号:PCT/JP1982/000386
    申请日:1982-09-25
    公开日:1983-03-31
    发明作者:Ltd. Konishiroku Photo Industry Co.
    申请人:Sato, Shigeru；Shindo, Masanari；Ota, Tatsuo；Shima, Tetsuo；Myokan, Isao；
    IPC主号:H01L29-00
    专利说明:
    [0001] 明 細
    [0002] 半導体材科及びその製造方法
    [0003] 〔 技街分野 〕
    [0004] 本発明は半導侔材料及びその製造方法、 特にァモ ル フ ア ス ^ リ コ ン （ 以下「 a - シ リ コ ン 」 と記す。 ） よ i) 成 る半 侔材科及びその製造方法に関する も のである。
    [0005] 〔 背景技術 〕
    [0006] —投に或る aの物質が半導^材料と して有闬であるた めには、 当該物質カミ ド ー ピ ン グによって任意にその導電 型を制御し得る も のである こ とが必要であ ] 、 この点か ら結晶シ リ コ ン が好適な半導^材料と して広 く 利用され て る。 しかしながら、 結晶シ リ コ ンはその製造におい て結晶成長工程を必要と し、 又実際の半導体装 gに利用 するためには厚さの小なる薄層^:と さ れなければな らな いこ とから薄層形成工程を必要とする も のであるため、 結局多大る時間 と労力を必要と し従って コ ス 卜 が高 く な る と い う欠点がある。
    [0007] これ.に対し、 a - シ リ コ ンは結晶成長工程が不要であ る上、 大面積の薄層状の も のを容易に得る こ とがで き る 点では非常に有利である。
    [0008] しかしながら、 a - シ リ コ ンは、 非晶質と い うその不 規則な原子配列構造に よ ] 、 いわば共有結合が切れたま まの状態である ダ ン グ リ ン グ ボ ン ドが多 く 存在するため、 そのま ま で は ギ ャ ッ プ ス テ 一 ト が多 く て ド ー ビ ン グ効率 が桎めて小さ く 、 実用上半導体材料と しての有用性は極 めて低 も のである。 これは、 所要の状態の導電型を得 るためには極めて高 滠度の ド ー ピ ン グ が必要とされる と ころ、， そのよ う 高滠度の ド ー ピ ン グを行な う と、 得 られる & - シ リ コ ンの組饞状態が変化する よ う になって ド ー ピ ン グによって凳生するキ ャ リ ア （ 電子又はホー ル） の易動度が低く しかも不安定 枋料と なって しま 、 結 局有効な ド ー ピ ン グ効果を得る こ とができ な からであ る β
    [0009] 斯かる背景下にお て、 a - シ リ コ ン中に水素原子を 導入してその ダ ンダ リ ン グ ボ ン ドを封鎖する こ とが提案 されてお！？、 その よ う な水素原子が導入さ れた a - シ リ コ ンは、 実甩上有効る ドー ピ ン グ効率が得られる もので あ ] 、 半導体材料と して有用である こ とが知られるに至 つている。 斯かる水素原子が導入さ れた a - シ リ コ ンを 得る方法と しては、 グ ロ一放電法， ス パ ッ タ法、 イ オ ン ブ レ ーティ ン グ法、 蒸着法等が知られて る，
    [0010] しかしながら、 単に水素原子が導入さ れた a - シ リ コ ンは、 .そうで いものに比して半導体材科と しての有用 性を有する とはいえ、 なお半導^特性が劣ったものであ る。 具体的に説明すれぱ、 暗電導度が通.常 1 0_1()〜： 10_11
    [0011] ( a，o — 1程度も あって、 瑭電導度に対する光導電度の 差が小さ く て暗電導 が io _1()( . ca ) -1 の も のの光導電度 との差は大き く ても高々 1 0一7 ( a * « 一1程度であ 、 又 得られる ドー ビ ン グ効率がなお低く 、 その上 ドー ピ ン グ に よってオ プ テ ィ カ ル ギ ャ ッ プが、例えば 1 . 5 eVfel下と小 さ く つて しま う。 これらの結果、 太陽電池、 電子写真 感光体の光導電層に代表さ れる具体的半導体装匱を水素 原子が導入さ れた a - シ リ コ ンに よって構成せしめても 良好な特性を得る こ とがで き ず、 実験レ ベ ル の規模であ ればと も角、 工業レ ペ ル の規模で実用上有闬な も のを得 る こ とは相当に困難である。
    [0012] 又上述の方法においては、 水素原子の導入を確実に行 な う ためには相当に厳格な条件が必要とさ れる上、 更に ドー ビ ン グ の遂行に も種々 の制約があるため、 必ずしも 良好な特性を有する a - シ リ コ ンであって所望の導電型 を有する も のを安定に或いは確実に形成する こ とができ 。 又これに加えて、 蒸着法以外の方法では大き な製 膜速度を得る こ とがで き い （ 例えばグロ 一放電法にお いては数才ングス ト ロ ー ム 秒である。 ） ため、 有利に a - シ リ コ ン ょ 成る半導体材料を得る こ とがで き ない。 〔 発明の開示 〕
    [0013] 本発明は以上の如 き事情に基いてなさ れたも のであつ て、 a . - シ リ コ ン よ D 成 ] 、 しかも 良好な半導体特性を 有する導電型が n型若 し く は i .型の半導体材科を提供す る こ と を 目 的 と する。
    [0014] 本発明の他の 目的は、 上述の半導体材科を有利に且つ 確実に製造する こ と がで き る方法を提供するにある。
    [0015] 本発明半導体材科の特徵とする と とろは、 0 , 0 0 1 〜 5 原子 のア ル ミ - ゥ ム を含有 し、 水素原子が導入さ れ 'た a - シ リ コ ン よ ] 成 、 導《型が n型若し く は i 型で ある点にある。
    [0016] 本発明方法の特徵と する と ころは、 真空槽内において 水素ガスの放電に よ って得られた活性水素及び水素ィ 才 ンの存在下にお て、 当該真空檀内に設けたシ リ コ ン蒸 発源よ シ リ コンを蒸髡せしめる と共に当該真空擅内に 設けたア ル ミ ニ ゥ ム蒸凳源よ ] ア ル ミ ゥ ムを蒸発せし める こ と に よ ] , 前記真空檀内に配匱した基板上に、 ァ ル ミ - ゥ ムを含有し水素が導入さ れた a - シ リ コンを形 成せしめる点にある β
    [0017] 以下図面に よって本発明を具体的に説明する。
    [0018] 本発明にお ては、 水素原子が導入された a - シ リ コ ン中にアル ミ ニ ウ ムを 0.001〜 5 原子 、 好ま しく は 0.5 〜 3 原子 の範囲内において含有せしめた n型若し く は i 型の導電型を有する ものを半導体材料と して用 その薄層铱によって半導体装置を楱成せしめる。 具体的 に説明する と、 第 1 図は石英板よ ！？ 成る基材 3 0 上にク ロ ムの導電層 3 1 を設けて成る基板 4 と、 この基扳 4 の 前記導.電層 3 1 上に設けた n型の a - シ リ 3 ン よ ] 成る コ ン タ ク ト 層 3 2 と、 こ の コ ン タ ク ト 層 3 2 上に設けた 真性半導体 （ 本明細書に て、 その導.電型を 「 i 型 」 とい う 。 ：） の状態にある a - シ リ コ ン よ ] 成る活性層 33 と、 この活性層 3 3 上に設けた、 白金、 金、 パ ラ ジ ウ ム 等の仕筝関数の大き い金属よ ] 成る金属層 3 4 と、 この 金属層 3 4 上に設けた ^えば I T 0 と称さ れる透明電極 層 3 5 と よ ] 成る シ ョ ッ ト キ一パ リ ア型太陽電池の構成 を示し、 本発明においては、 例えば斯かる太陽電池の半 導体層の う ち、 p 型の も の以外の半導 層、 即ち n 型の コ ン タ ク ト 層 3 2 及び活性層 3 3 を、 0.001〜 5 原子 のア ル ミ ニ ウ ムを含有する、 水素原子が導入された a - シ リ コ ンに よって形成する。
    [0019] 又第 2 図は、 金属板よ ] 成る基板 4 と、 n 型の a - シ リ コ ン よ ] 成る コ ン タ ク ト 層 3 2 と、 i 型の a - シ リ コ ン よ ] 成る i 型層 3 3 A及びその上に積層 した p 型の a - シ リ コ ン よ ] 成る p 型層 3 3 B よ ] 成る活性層 3 3 と この活性層 3 3 上に設けた透明電極層 3 5 と よ ！？ 成る p - i - n 型太陽電池の構成を示し、 本発明にお ては、 既述の例における と 同様に、 n 型の コ ン タ ク ト 層 3 2 並 びに活性層 3 3 を構成する i 型層 3 3 Aを既述のア ル ミ - ゥ ム を含有し水素原子が導入さ れた a - シ リ コ ンに よ つて形成する。
    [0020] 更に第 3 図は、 絶弒性の基板 4 上に、 i 型の a - シ リ コ ン よ ] 成るチ ャ ネ ル形成層 4 1 と、 これを挟んで位置 する 2.つの n型の a - シ リ コ ン よ ] 成る ソ ー ス層 4 2 及 び ド レ イ ン層 4 3 と、 酸化シ リ コ ン よ ] 成る絶緣層 4 4 を介して前記チ ャ ネ ル形成層 4 1 上に設けたグ ー ト 電極 4 5 と、 前記ソ ー ス層 4 2 及び ド レ イ ン層 4 3 上に設け たソ ー ス電裎 4 6 及び ド レ イ ン電極 4 7 と よ ] 成る電界 効果型 ト ラ ン ジ ス タ の例を示し、 又第 4 図はア ル ミ - ゥ ム よ ] 成る基板 4 上に i 型の a - シ リ コ ンよ ] 成る光導 電層 5 1 を設けて成る電子写具感光 ^の例を示じ、 これ Ι らの例において も 、 n型若し く は i 型の半導体層でるる チャ ネ ル形成層 4 1 、 ソ ー ス層 4 2 及び ドレイ ン層 4 3 を、 並びに光導電層 5 1 を、 既述の よ う にア ル ミ - ゥ ム を含有する水素原子が導人さ れた a - シ リ コ ンによ ] 形 成する。
    [0021] 以上において、 i 型の層を形成する場合には単にア ル ミ -ゥ ムを通常 0.001〜 5 原子 含有せしめる よ う にし n型の層を形成する場合には 0.001〜5 原子 のア ル ミ - ゥ ムのほかにア ンチモ ン等の周期律表第 V族の元素を 更に含有せしめる よ う にすればよ 。 ¾ i p 型の層を形 成する場合には単にィ ン ヅ ゥ ム等の第！:族の元素を含有 せしめればよ い。 こ こで、 ア ル ミ - ムを含有しながら i 型の a - シ リ コ ンが得られる理由は、 a - シ リ コ ンが 何ら ドー ピ ングを行 わな と き に弱 n型に る もの であるからであるが、 その原因は明かではない。 そして この i 型と るために必要 アル ミ ウム の含有割合は a - シ リ コ ンの状態によって異 ] 3、 固定的に定ま る も のではない。 しかしア ル ミ - ゥ ム の含有割合が 5 原子 を越える場合には、 a _ シ リ コ ンは常に p 型のも の と な つて しま う。
    [0022] 本発明半導^材料は以上の よ う も のであ ！）、 後述す る実験判の説明から も 明か よ う に俊れた半導^特法を 有する も のである。 即ち、 小さ 暗電導度及び大き 光 電導度を有していて優れた光応答性を示し、 又 ドー ピ ン グ効率が大き く 得られる と共に大き ォブティ カ ル ギヤ ッ ブを有する も の と る。
    [0023] 以上具侔例について説明 したが、 他の構成の半導侔装 置における半導体層の全部又は一部につ て本発明半導 体材料を甩ぃ得る こ と は勿論である。
    [0024] 以上の如き 本発明半導体材料は、 例えば、 次の よ う に して製造する こ とがで き る。 即ち、 第 5 図に示すよ う に、 真空槽を形成する ペ ル ジ ャ一 1 にバ タ フ ラ イ バ ル ブ 2 を 有する排気路 3 を介 して真空ボ ンブ （ 図示せず ） を接続 し、 こ れに よ ] 当該ペ ル ジ ャ一 1 内を例えば 10—3〜； I 0一7 Torr の高真空状態と し、 当該ペ ル 'クヤ ー 1 内には基板 4 を配置 してこ れを ヒ ー タ ー 5 に よ 温度 150〜 5 0 0 Ό、 好ま し く は 2 5 0 〜 4 5 0 t:に加熱する と共に、 直 流電漯 6 に よ 基板 4 に 0 1 0kV、 好ま しく は一 1 6 kVの直流負電圧を印加 し、 その出口が ¾板 4 と対 向する よ う ペ ル ジ ャ一 1 に出口 を接続 して設けた水素ガ ス放電管 7 よ ！？ の活性水素及び水素イ オ ンをペ ル 'ン ー 1 内に導入 しながら、 基板 4 と対向する よ う 設けたシ リ コ ン蒸発源 8 を加熱 してシ リ コ ンを蒸発せしめる と共に、 同様に設けたア ル ミ - ゥ ム蒸発渌 1 0 を加熱 してア ル ミ - ゥ ムを同時に蒸発せしめ、 これに よ ] 前記基板 4 上に ア ル ミ ニ ウ ムを含有 し水素原子が導入さ れた a - シ リ コ ンを形成する。 そ して n型又は p 型の a - シ リ コ ンを得 る場合には、 前記ペ ル ジ ャ一 1 内に更に ド ーブ剤蒸発篛 1 2 を設けてこれよ 第 V族又は第 I族の元素を蒸発せ しめて共蒸着を行な う よ う にする。 こ こに第 V族元素と しては、 ア ンチモ ン、 リ ン、 ヒ素を、 又第！ [族元素と し ； てはイ ン ジ ウ ム、 ガ リ ウ ム を好ま し も の と して挙げる こ とがで き る。 尚、 各蒸発潔の加熱温度は、 各元素の篛 点よ やや高い温度とすればよ 。 ア ル ミ - ゥ ム の蒸発 は、 通常 7 0 0〜： L 0 0 0 Cに加爇さ れて行 われる。 S は 各蒸発濕のシ ャ ッ タ ーである。 そしてシ リ コ ン蒸発篛 8 と共にア ル ミ ニ ウ ム蒸発滠 1 0 、 更には ド ーブ剤蒸発潔
    [0025] 1 2 の蒸発速度を、 判えば加熱温度を制御する ことによ
    [0026] 、 形成さ れる a - 、ン リ コ ン中に含有されるア ル ミ - ゥ ム更には ドーブ剤の割合を制御する。
    [0027] 以上において、 シ リ コ ン蒸発篛 8 及びア ル ミ ニ ウ ム蒸 発篛 1 0 並びに ドーブ剤蒸発瘃 1 2'の加熱のためには、 例えば抵抗加熟、 電子莸加熱、 誘導加熱等の任意の加熱 手段を利甩する こ とができ る。 そして各蒸発渥にお て 突漭に よ ] 蒸発混物質の粗大粒塊が飛翔して基板 4 上に 付着する こ とを避ける必要があ ] 、 そのためには、 屈曲 した蒸気路を形成する粗大粒塊飛散防止部材を利 ¾する こ と ができ る。
    [0028] 又前記水素ガ ス放電管 7 の一例にお い ては、 第 6 図に ； 示すよ う に、 ガ ス入口 2 1 を有する筒状の一方の電極部 ， 材 2 2 を一端に設けた、 放電空間 2 3 を囲繞する例えば 筒钦ガ ラ ス製の放電空間部材 2 4 と、 この放電空間部材
    [0029] 2 4 の他端に設けた、 出口 2 5 を有する リ ン グ状の戗方 の電極部材 2 6 と よ ] 成！）、 前記一方の電極部林 2 2 と - 他方の電極部材 2 6 -との間に直流又は交流の電圧が印加 さ れる こ と に よ 、 ガス入口 2 .1 を介 して供給された永 素ガスが放電空間 2 3 に て グ ロ 一放電を生じ、 これ によ 電子エ ネ ル ギ ー的に ^活さ れた水素原子若し く は 分子よ 成る活性水素及びィ オ ン化さ れた水素ィ オ ンが 出口 2 5 よ ！？排出さ れる。 この図示の例の放電空間部材 2 4 は二重管構造であって冷却水を流過せしめ得る構成 を有 し、 2 7 , 2 8 が冷却水入口及び出口 を示す。 2 9 は一方の電極部材 2 2 の冷却用 7 イ ンである。
    [0030] 上記の水素ガ ス放電管 7 における電極間 ¾離は 1 0 1 5 csiてあ ]3 、 印加電圧は 5 0 0 〜 8 0 0 V % 放電空間 2 3 の圧力は 1 0一2 To rr 程度と さ れる。
    [0031] 尚前記ア ル ミ - ゥ ム蒸発.潔 1 0 等の蒸発速度を制御す るためには、 当該アル ミ - ゥ ム蒸発源 1 0 等の加熟温度 を制御すればよ いが、 実際の蒸着状態を知って よ ] 適切 な蒸発速度制御を達成するためには， ク リ ス タ ル モ ニ タ 一、 四重梃マ ス ス ぺ ク ド ルアナ ラ イ ザー、 原子吸光法に よる検出器等を利用する こ とができ、 この場合に、 例え ばア ル .ミ ニ ゥ ム蒸発源 1 0 のみの蒸発速度を正確に検出 するためには、 例えばク リ ス タ ル モ - タ ーを当該ア ル ミ ニ ゥ ム蒸発源 1 0 の近傍に配置すればよ 。
    [0032] 以上の方法においては、 a _ シ リ コ ンの形成を、 水累 ガスを放電せしめる こ と に よ って得られる活性水素及び 水素イ オ ンの存在下において シ リ コ ンの蒸着に よ って行 な う と共に、 これと同時にア ル ミ ニ ウ ム を 着せしめる よ う に しているため、 確実にア ル ミ - ゥ ムを含有しその
    [0033] υκ A ダ ン グ リ ン グ ボ ン ドが水素原子に よって封鎂され Tt a - シ リ コ ンが得られる。 しかも基板の加熱温度及び印加電 圧の制御、 シ リ コ ンの蒸発速 ¾の制御、 '並びに水素ガス 放電管 7 における供給水素ガス.量、 放電電 Eの制御によ る、 ペ ル ジャ 一 1 内に導入さ れる活性水素の活性の程度 と 量及び水素イ オ ンの量の制御を各々独立に行 う こ と ができ るので、 所望の良好な特性を有する a - シ リ コ ン が得られ、 その上ア ル ミ - ゥ ム蒸発源 1 0 の加熱の程度 を制御する こ とに-よ るアル ミ ニ ウ ム の蒸発速度の精密 制御が大き な 自 由度で可能であるから、 含有されるア ル ミ -ゥ ム の割合を制御して 0 , 0 0 1〜5 原子 の範囲内と するこ と、 及び更に特定の含有割合となる よ う にする こ とによって i 型の a - シ リ コ ンをも確実に得る ことがで き る。 併せて、 ドー ブ剤の含有割合を同様に して制御す る こと によ ])、 所期の n 型のア ル ミ - ゥ ムを含有し水素 原子が導入された a - シ リ コ ンを得る ことができ る。
    [0034] 上述の方法にお て、 異なる導電型の a - シ リ コ ン層 を ¾読し： 形成する こ とができ る こ とは勿論である， 以上に加え、 本発明方法においては製膜速匿を大き く する こ とが容易であって厚さの大き い & - シ リ コ ン半導 体層を短時間の う ちに形成する こ とが可能である上、 基 板 4 が大面積のも のであってもその 面方向に： —な組成 で厚さ も均一な a - シ リ コ ン半導体層を得る こ とが可能 であるので、 既述の本発明半導体材料による半導^装！： を有利に且つ確実に製造する こ とがで き る， 〔 図面の簡単な説明 〕
    [0035] 第 1 図〜第 4 図は本発明の実施に好適 半導体装 Κの • 例における構成を示す説明兩断面図、 第 5 図は本発钥方 法の実施に用い られる装 gの一例を示す説明甩新面図、 第 6 図は水素ガス放電管の一例の檮成を示す説明用断面 図である。
    [0036] 〔 発明を実施するための最良の形態 〕
    [0037] 以下本発明半導体材料につ て行 つた実験钶につ て説明する。
    [0038] 実験钶
    [0039] 第 5 図に示した構成の装置において、 ペル ジャ一 1 内 を 6 X 1 0 _5 Torr の真空度と ； 5:る よ う排気し、 このペ ル ジャー 1 内 にお てス テ ン レ 鋇製のネ ッ ト よ D 成る電 極に石英よ ] 成る基板 4 を支持せしめ、 前記基板 4 をヒ ー タ 一 5 に よ 温度 4 0 に加熱する と 共に前記電極 に直流電漯 6 によ ] 一 4 kVの直流負電圧を印加 し、 水素 ガズ放電管 7 には水素ガスを 7 5 c c Z分の流量で供給し がらその電極部材 2 2 , 2 6 間に一 6 0 0 Vの直流電 圧を印加 してダロ ー放電を生ぜ しめた状態に いて、 'ン リ コ ン蒸発源 8 及びア ル ミ ニ ウ ム蒸兗瘰. 1 0 を共に抵抗 加熱方式で加熱して基板 4 上にア ル ミ 二 ゥ ムを含有 し水 素原子が導入さ れた a - シ リ コ ンを 1 6 . 5 分間に亘つて 蒸着して厚さ約 5 0 0 0 A の a - シ リ コ ン層を形成 し、 こ の a - シ リ コ ン層上に各々幅 1 0 »、 電極間離間 ¾鹺 5 wの ギヤ ッ ブ タ イ ブのアル ミ ニ ウ ム電桎を形成する方法
    [0040] -BUREA によ 、 前記ア ル ミ ニ ウ ム蒸発 1 0 よ ] のアル ミ - ゥ ムの蒸髡速度を変えて種々 の割合でア ル ミ - ゥ ムを含有 する a - シ リ コ ン層 よ ！） 成る測定試料を製造した。 尚、 アル ミ - ゥ ム蒸凳镙 1 0 の加熱温度は、 約 7 0 0 であ つた。
    [0041] 又上述の方法において、 更に ドーブ剤蒸発瘃 1 2 よ ] ドーブ剤を同時に蒸 ¾せしめる よ う に して他の測定試科 を製造した。
    [0042] 以上の測定試科について、 暗電導度 ff D 、 こ の び！）と光 電導度との差ム 、及びォブティ カ ルギャ ップ E 0pT の 値を求めたと ころ、 次表に示す結果が得られた。
    [0043] 更にアル ミ - ゥ ム の蒸発を行なわないほかは全く 同様 に して比較試料を製造し、 同様の特性 ί直を求めた。 その 結果を併せて次表に示す。
    [0044] OMPI
    [0045] 1P0 OX
    [0046]
    [0047]
    [0048] 以上の結果から明かな よ う に本発明半導体材料は良好 特性.を有し、 十分に実用に供する こ とができ、 優れた 半導侔装匱を提供する も のである。
    [0049] 以上詳逑したよ う に、 本発 に よ れば、 a - シ リ コ ン よ ] 成 ] 、 しかも 良好な半導侔特性を有する n型若し く は i 型の半導^材料を提供する こ とができ 、 併せて斯か る半導体林科若しく は更に当該半導体材料による半導体 装匱を有利に且つ確実に製造する こ とので き る方法を提 供する こ とができ る。
    [0050] OMPI
    权利要求:
    Claims 請 求 の 範 囲
    1. 0.001〜 5 原子 のア ル ミ ニ ウ ムを含有 し、 水素原 子が導入さ れたア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン よ ] 成 ] 、 導電 型が η 型若し く は i 型である こ と を特徵と する半導体 材料。
    2. 真空檀内に いて、 水素ガ ス の放電に よって得られ た活性水素及び水素イ オ ンの存在下にお て、 当該真 空槽内に設けたシ リ コ ン蒸発源 よ ] シ リ コ ンを蒸発せ しめる と共に当該真空檀内 に設けたア ル ミ - ゥ ム蒸発 源 よ 1 ア ル ミ ニ ウ ム を蒸発せしめる こ と に よ ] 、 前記 真空槽内に配匱 した基板上に、 ア ル ミ ニ ウ ムを含有し 水素が導入さ れたア モ ル フ ァ ス シ リ コ ン を形成せしめ る こ と を特徵とする半導体材料の製造方法。
    O P1 W1PO
    类似技术:
    公开号 | 公开日 | 专利标题
    US9583637B2|2017-02-28|Amorphous oxide and field effect transistor
    Dun et al.1981|Mechanisms of Plasma‐Enhanced Silicon Nitride Deposition Using SiH4/N 2 Mixture
    US4226898A|1980-10-07|Amorphous semiconductors equivalent to crystalline semiconductors produced by a glow discharge process
    US5114770A|1992-05-19|Method for continuously forming functional deposited films with a large area by a microwave plasma cvd method
    EP0161088B1|1988-06-08|Apparatus for plasma-assisted deposition of thin films
    EP0300799B1|1996-03-20|Photovoltaic element with a semiconductor layer comprising non-single crystal material containing at least Zn,Se and H in an amount of 1 to 4 atomic %
    US4271328A|1981-06-02|Photovoltaic device
    US5728231A|1998-03-17|Precursor for semiconductor thin films and method for producing semiconductor thin films
    US4873118A|1989-10-10|Oxygen glow treating of ZnO electrode for thin film silicon solar cell
    Madan et al.1979|Electrical and optical properties of amorphous Si: F: H alloys
    CA1192818A|1985-09-03|Method for optimizing photoresponsive amorphousalloys and devices
    US4217148A|1980-08-12|Compensated amorphous silicon solar cell
    CA1090454A|1980-11-25|Devices including a layer of amorphous silicon
    US5017308A|1991-05-21|Silicon thin film and method of producing the same
    US4170662A|1979-10-09|Plasma plating
    US4849797A|1989-07-18|Thin film transistor
    US6531711B2|2003-03-11|Photoelectric conversion device and process for producing photoelectric conversion device
    US5909632A|1999-06-01|Use of separate ZnTe interface layers to form OHMIC contacts to p-CdTe films
    US4441113A|1984-04-03|P-Type semiconductor material having a wide band gap
    AU721374B2|2000-06-29|Method and device for the deposit of at least one film of intrinsic microcrystalline or nanocrystalline hydrogenated silicon and photovoltaic cell obtained by this method
    US4443488A|1984-04-17|Plasma ion deposition process
    US6852614B1|2005-02-08|Method of manufacturing semiconductor having group II-group VI compounds doped with nitrogen
    US5563092A|1996-10-08|Method of producing a substrate for an amorphous semiconductor
    US4213798A|1980-07-22|Tellurium schottky barrier contact for amorphous silicon solar cells
    US4510224A|1985-04-09|Electrophotographic photoreceptors having amorphous silicon photoconductors
    同族专利:
    公开号 | 公开日
    JPS5855327A|1983-04-01|
    JPH0239087B2|1990-09-04|
    引用文献:
    公开号 | 申请日 | 公开日 | 申请人 | 专利标题
    法律状态:
    1983-03-31| AK| Designated states|Designated state(s): DE US |
    1983-12-01| RET| De translation (de og part 6b)|Ref document number: 3249030 Country of ref document: DE Date of ref document: 19831201 |
    1983-12-01| WWE| Wipo information: entry into national phase|Ref document number: 3249030 Country of ref document: DE |
    优先权:
    申请号 | 申请日 | 专利标题
    JP56151423A|JPH0239087B2|1981-09-26|1981-09-26||
    JP56/151423810926||1981-09-26||DE823249030T| DE3249030T1|1981-09-26|1982-09-25|Halbleitermaterial und verfahren zu dessen herstellung|
    [返回顶部]